Mos管开通过程1，在t0时刻，栅极的驱动信号Ugg开始上升，然后经过驱动电阻Rg给栅极电容Cgs充电，Ugs的电压逐渐变高。在t1时刻到达了mos管的开通门槛电压值，mos管开始导通，Ids开始有电流流过，2，在t1时刻后Ugs电压继续变高，Ids逐渐增大，同时Vds电压开始下降，直到t2时刻，即米勒平台时刻，3，在t2时，Ugs的电压基本不会变化，出现了平台，此时会对电容Cgd反向充电，在t3时刻Vds电压已经到达为零，Ids电流还是继续增加。
即驱动电压，Vds电压在这个时间段已经为零，ids还是会增加。这个基本就是Mos管开通的过程，关断的过程基本类似。上述都是已感性负载为基础的，还有电阻性负载的开通关断过程，基本类似，只有t1-t3阶段有所不同。上述都为自己的理解，有错误的请指正。1，我们Zvs开通的过程中会有米勒平台产生？
1、mOS管导通后的Vgs是多少?和刚满足导通条件时的电压有什么关系MOS管导通后的Vgs电压始终为该管的开启电压，和刚满足导通条件时比较，导通后随着源极S电位的升高，Vg电压也要升高，在漏极电流不变的的情况下Vgs是个常数。N沟道与P沟道是不一样的。如N沟道管，导通后Vgs与“偏置”电路有关，与其他无关。Vgs越大则导通电阻越小。P沟道是相反的（在无“偏置”时，即正常时是导通的）。各型号具体数值不同，一般正负2V都能导通了，最高一般在正负10V左右。
MOS管导通后的Vgs电压始终为该管的开启电压，和刚满足导通条件时比较，导通后随着源极S电位的升高，Vg电压也要升高，在漏极电流不变的的情况下Vgs是个常数。N沟道与P沟道是不一样的。如N沟道管，导通后Vgs与“偏置”电路有关，与其他无关。Vgs越大则导通电阻越小。P沟道是相反的（在无“偏置”时，即正常时是导通的）。mOS管注意：1、为了安全使用MOS管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。
2、mosfet导通3、mos管导通过程这里你是没有说明两个条件，一是电源是交流还是直流的220V，这个电压很容易让人想到是交流市电，交流是不能直接接到MOSFET上的;二是你的MOSFET是N还是P型的，这对判断关断还是导通有很大的影响。N型MOS一般都是用S对地，G接电压控制，接地时截止，接高于地的电压开始导通，D输出，负载是从正电源到D之间连接，也就是说管子的D到S导通，让负载的负极接到地，关断时，负载的地断开;PMOS极性相反，S接正，G仍是控制，但接正时是关断，低于正的电压才是导通，D输出时，负载一端接地，一端接D极，MOS控制的是负载的正极。