一：1、功率半导体和第三代半导体：功率Fabless：斯达半导、新洁能、东微半导、宏微科技等功率IDM：时代电气、扬杰科技、士兰微、闻泰科技。碳化硅：三安光电、天岳先进等，二：2、Chiplet---封测：通富微电、华天科技、晶方科技、长电科技---IP：芯原股份封测机：华峰测控---载板：兴森科技三：24.电子特气国产龙头：华特气体25.湿电子化学品国产龙头：江化微26.靶材国产龙头：有研新。
1、直流电焊机是mos管的好,还是IGBT的好,有哪些品牌可以值得考虑这个要看你选用多大的机器了。MOS管的直流焊机一般最大做到315A的。IGBT从200A做到。一般200A到400A的都是用的是单管IGBT500A的是用的模块IGBT。说实话。现在MOS管的技术也很成熟了。所以你如果焊条在3.2的话。建议买个MOS管的机器就好了。如果要烧4.0焊条的话就买IGBT的。现315以上的机器又分工业机和民用机。
就用民用机。用量大用工业机。这么说吧。以400A的机器组成基本是20个MOS管组成单管是4个给成。模块由2个组成。其中坏一个。机器都会坏。所以还是感觉IGBT吧。315以下考虑MOS。品牌的话。像瑞凌。沪工凯尔达沪通大力神奥太。等等。还有很多都还不差。有钱就松下吧。
2、为什么电焊机mos比igbt的贵功率小、使用领域广。1、电焊机mos的功率比igbt的功率小，所以在使用时耗费的电量也就少，在为顾客节约成本的同时也提高了自己的价格。2、电焊机mos可用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等领域，可适用的领域广，价格也就高，而igbt用于焊机、逆变器、变频器等领域，可适用的领域不多。
3、mosfet和igbt的区别mosfet和igbt的区别如下：1、结构以及应用区别从结构上来讲，以N型沟道为例，IGBT与MOSFET的区别在于MOSFET的衬底为N型，IGBT的衬底为P型；从原理上说IGBT相当于一格MOSFET与BIpolar的组合，通过背面P型层空穴降低器件的导通电阻，但同时也会引入一些拖尾电流问题。从产品上来说，IGBT一般用在高压功率产品上，从600V到几千伏都有，MOSFET应用电路则从十几伏到一千左右。
PowerMosfet的开关的高频特性十分优秀，所以可以用在高频场和，在低电压工作状态下，开关管动作损耗远低于其他组件，但是缺点是在高压状态下，压降高，并且随着电压等级的增大，导通电阻也变大。因而其传导损耗比较大，尤其是在高电压应用场合，IGBT是其耐压比较高，压降低，功率可以达到5000w,IGBT开关频率在4050k之前，开关损耗也比较高，并且会出现擎柱效应。