sb51009509肖特基二极管可以用什么代替RU4D？SB5100肖特基二极管，100伏，5A。Ss510二极管坏了，我应该用什么来代替它？场效应晶体管23n50e可以用什么代替4108？k4101用什么管代替K4101用650V，7A，35W的中型N沟道MOSFET(场效应晶体管)，可以用K2996，K2645或者K3116代替。
1、场效应管23n50e可以用什么代替4108可以吗?FET 23n50e可以用FMH23N50E为23A的MOS FET代替，500V，而不是4108。MOS场效应晶体管也叫金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。一般有两种:耗尽型和增强型。增强型MOS FET可分为NPN型和PNP型。
对于N沟道FET，源极和漏极连接到N型半导体，对于P沟道FET，源极和漏极连接到P型半导体。场效应晶体管的输出电流由输入电压(或电场)控制。可以认为输入电流很小或者没有输入电流，使得器件具有很高的输入阻抗，这就是我们称之为FET的原因。扩展数据:功能:1。FET可用于放大。因为FET放大器的输入阻抗很高，所以耦合电容可以很小，所以不需要使用电解电容。
2、三极管S8550可用什么三极管代换晶体管8550是一种常见的晶体管。它是PNP型硅三极管，低压大电流小信号。最大集电极电流1.5a . 8550三级管参数:类型:开关型；极性:PNP；材料:硅；最大集电极电流(a):0.5a；DC增益:10比60；；功耗:625mW；最大集电极发射电压(VCEO):25；频率:150兆赫。扩展资料:三极管的放大原理:1。发射极向基极发射电子。电源Ub通过电阻器Rb施加到发射极结，并且发射极结被正偏置。发射极区的大部分载流子(自由电子)不断穿过发射极结进入基极，形成发射极电流Ie。
2.基区电子扩散和复合电子进入基区后，首先在发射极结附近聚集，逐渐形成电子浓度差。在浓度差的作用下，电子流被促进向基区的集电极结扩散，并被集电极结的电场拉入集电极区，形成集电极电流ic。还有少量电子(因为基区很薄)与基区空穴复合，扩散电子流与复合电子流的比值决定了晶体管的放大能力。
3、ss510二极管坏了用什么代替?可以用SS315、SS320、SS510型号代替。SS310属于肖特基二极管，以其发明者肖特基博士命名。SBD不是利用P型半导体和N型半导体接触形成PN结的原理制成的，而是利用金属和半导体接触形成金属-半导体结的原理制成的。换个100v5A的快速二极管就行了。2CP系列二极管为国产普通硅整流二极管，使用该二极管的万用表多为老式指针式万用表。
4、sb51009509肖特基二极管可以用什么代换RU4D可以代换嘛SB5100肖特基二极管，100V，5A。RU4D电流只有1.5A，代替不了SB5100。可以替换为sr8a 0 . sbl 5100 . sbl 5120 . sbl 6120 . mbrf 8100 . mbrb 8100.2 dk 5100.2 dk 5120 . sb 5100和SR5100都是5A/100V肖特基二极管，只是厂家不同，参数相差不大，可以互相替换。
也可以换成更大的参数，如:SB10100，SR10100，SR10A0等SB506，与SR506的参数相同，可以换成Sr 5025 a 20 vsr 5045 a 40 vsr 5065 a 60 vsr 5205 a 200v。扩展信息:肖特基二极管是贵金属(金、银、铝)。
5、贴片sk5b二极管可用什么可代换贴片肖特基的问题太简单了。MAKOSemiconductorCo。、有限公司香港柯美半导体有限公司SOD 123 b 0520 SMA SS12 SMAS bsk 32 SMAS bsk 22都可以替代这点hk。贴片sk5b是肖特基二极管。其主要参数为:耐压Vrrm100V，最大电流Io5A。可以用CTG11R直接代入，两者参数完全相同。
6、k4101用什么管代换K4101为中型n沟道MOSFET(场效应晶体管)，650V，7A，35W，可替换为K2996，K2645或K3116。K4101是650V、7A、35W的中型N沟道MOSFET，可以用K2996、K2645或K3116代替，K4101可由K2996、K2645或K3116管代替。K4101是650V，7A，35W的中型N沟道MOSFET(场效应晶体管)，场效应晶体管(FET)简称场效应晶体管。