晶体管的饱和管压降是指晶体管在饱和区工作时,集电极和发射极之间的电压降,也称作饱和电压(VCEsat)。饱和压降指的是三极管饱和时,其集电极和发射极之间的电压，当三极管饱和后,基极电流的增加不会引起集电极电流的变化,此时三极管饱和,其饱和压降在0，放大电路中的饱和压降可以通过以下步骤计算:首先,确定放大电路中的饱和区电流和饱和区电压值。
一般驱动电流Ib越大,管子饱和越深(在一定范围内),其饱和压降越小;在相同的Ib下。集电结处于正向偏置时,晶体管工作于饱和状态,这个饱和状态值的是电流饱和,因为当集电结处于正向偏置时,导通,管压降也就是他导通时的电压降。饱和压降就是三极管当前的基级电流大于基级最大饱和电流,此时我们称判断电路处于饱和状态。
在实际工作中,常用Ib*β=V。D极电压在1~12V时S极和D极电压在零点几伏左右。当D极电压超过12V时S极电压却不再上升。MOS的压降是指MOSFET饱和导通的时候,VDS=I*Ron的电压。当三极管的基极电流增加而集电极电流不随着增加时就是饱和,饱和电流由集电极电阻和发射极电阻决定,饱和电流的大小与三极管无关,一般当ce电压小到0。
此外电流越大,压降也稍大一些。二极管标称压降大约0，7V,与流过二级管电流有关,与体积也有一定相关。例如,A点的电势(同0电位的电势差)是2V,B点的电势是8V,那么,A对B点来说,压降就是，判断电路放大饱和截止,主要有以下步骤:1。比较Ui和晶体管导通电压Ube的大小，若Ui判断电路放大饱和截止,主要有以下步骤:1。