近日，英伟达创始人黄仁勋表示，半导体行业已接近极限。从某种意义上说，半导体已接近极限，我们可以继续缩小晶体管，但我们不能缩小原子——直到我们发现与蚂蚁人发现的相同的粒子，我们的晶体管将找到极限，我们处于原子尺度，现在是材料科学真正派上用场的时候了，感觉说的还是有道理的。半导体行业的很大一部分将受到材料科学进步的支配，如何研发出更轻更耐用性能更好的材料，直接决定半导体行业的高度。
陹1、请问表征晶体管的三个参数是什么表征晶体管的三个参数是直流参数、交流参数、极限参数。晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET），具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。
2、场效应管的最大漏极电流这个极限参数是怎么来的3、三极管的极限参数有那些呢?mos管的极限参数有那些呢?两者有相同的地方吗...三极管的极限参数一般是最大集电极电流Icm、集电极基极间电压（集电结反向耐压）Vcbo、集电极发射极间电压Vceo、发射极基极间电压（发射结反向耐压）Vebo、最大允许耗散功率Pcm、最高和最低工作温度这几项，有的型号还给出很短时间内的最高管脚焊接温度。MOS管的极限参数一般包括源漏极间最大电压（类似三极管的Vceo）、栅漏极间最大电压（类似三极管的Vcbo）、最大漏极连续电流Id（类似三极管的Icm）、和最大漏极脉冲电流Idm（MOS管这个参数在三极管没有相应的）、最大允许耗散功率Pd、最高和最低工作温度、很短时间内的最高管脚焊接温度。
4、晶体管的主要参数三极管的参数简介。晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等，※电流放大系数电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数，晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。